Liste de compatibilité des serveurs FusionServer RH2288H V7 - Vendre un serveur Dell/Xfusion/Huawei,De Chine.

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Liste de compatibilité des serveurs FusionServer RH2288H V7

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Numéro de pièce Capacité Détails
0251Y129 128Go Module de mémoire générale,2288H V7, module de mémoire,DDR5, RDIMM,128Go,288broche,0.42ns,4800000KHz,1.1V,CCE,4Rang(4G*4bit),3DS,Domestique&Outre-mer
0251Y129 128Go Module de mémoire générale,2288H V7, module de mémoire,DDR5, RDIMM,128Go,288broche,0.42ns,4800000KHz,1.1V,CCE,4Rang(4G*4bit),3DS,Domestique&Outre-mer
0620Y009 128Go Module de mémoire,DDR5-RDIMM,128Go,288broche,0.42ns,4800000KHz,1.1V,CCE,4Rang(4G*4bit),3DS
0620Y009 128Go Module de mémoire,DDR5-RDIMM,128Go,288broche,0.42ns,4800000KHz,1.1V,CCE,4Rang(4G*4bit),3DS
0620Y009-001 128Go Module de mémoire,DDR5-RDIMM,128Go,288broche,0.42ns,4800000KHz,1.1V,CCE,4Rang(4G*4bit),3DS,SAMSUNG 1ynm
0620Y033 128Go Module de mémoire,DDR5-RDIMM,128Go,288broche,0.357ns,5600000KHz,1.1V,CCE,4Rang(4G*4bit),3DS
0251Y064 16Go Module de mémoire générale,2288H V7, module de mémoire,DDR5-RDIMM,16Go,288broche,0.42ns,4800000KHz,1.1V,CCE,1Rang(2G*8bit),Outre-mer
0251Y146 16Go Module de mémoire générale,2288H V7, module de mémoire,DDR5-RDIMM,16Go,288broche,0.42ns,4800000KHz,1.1V,CCE,1Rang(2G*8bit),0620Y003-XH-JWY SAMSUNG 1ynm
0251Y150 16Go Module de mémoire générale,2288H V7, module de mémoire,DDR5-RDIMM,16Go,288broche,0.357ns,5600000KHz,1.1V,CCE,1Rang(2G*8bit),Outre-mer
0620Y003 16Go Module de mémoire,DDR5-RDIMM,16Go,288broche,0.42ns,4800000KHz,1.1V,CCE,1Rang(2G*8bit)
0620Y003-001 16Go Module de mémoire,DDR5-RDIMM,16Go,288broche,0.42ns,4800000KHz,1.1V,CCE,1Rang(2G*8bit),P/N spécifié dédié-Samsung 1ynm
0620Y003-002 16Go Module de mémoire,DDR5-RDIMM,16Go,288broche,0.42ns,4800000KHz,1.1V,CCE,1Rang(2G*8bit),P/N spécifié dédié-Hynix 1anm
0620Y027 16Go Module de mémoire,DDR5-RDIMM,16Go,288broche,0.357ns,5600000KHz,1.1V,CCE,1Rang(2G*8bit)
0620Y068 16Go Module de mémoire,DDR5-RDIMM,16Go,288broche,0.42ns,4800000KHz,1.1V,CCE,1Rang(2G*8bit),Code de spécification
0620Y010 256Go Module de mémoire,DDR5-RDIMM,256Go,288broche,0.42ns,4800000KHz,1.1V,CCE,8Rang(8G*4bit),3DS
0251Y063 32Go Module de mémoire générale,2288H V7, module de mémoire,DDR5-RDIMM,32Go,288broche,0.42ns,4800000KHz,1.1V,2Rang(2G*8bit),Outre-mer
0251Y063 32Go Module de mémoire générale,2288H V7, module de mémoire,DDR5-RDIMM,32Go,288broche,0.42ns,4800000KHz,1.1V,2Rang(2G*8bit),Outre-mer
0251Y143 32Go Module de mémoire générale,2258 V7, module de mémoire,DDR5-RDIMM,32Go,288broche,0.357ns,5600000KHz,1.1V,CCE,2Rang(2G*8bit),Code de trois usines d'origine,Exclusivité outre-mer
0620Y005 32Go Module de mémoire,DDR5-RDIMM,32Go,288broche,0.42ns,4800000KHz,1.1V,2Rang(2G*8bit)
0620Y005-001 32Go Module de mémoire,DDR5-RDIMM,32Go,288broche,0.42ns,4800000KHz,1.1V,2Rang(2G*8bit),P/N spécifié dédié-Samsung 1ynm
0620Y005-002 32Go Module de mémoire,DDR5-RDIMM,32Go,288broche,0.42ns,4800000KHz,1.1V,2Rang(2G*8bit),P/N spécifié dédié-Hynix 1anm
0620Y029 32Go Module de mémoire,DDR5-RDIMM,32Go,288broche,0.357ns,5600000KHz,1.1V,CCE,2Rang(2G*8bit)
0620Y029-001 32Go Module de mémoire,DDR5-RDIMM,32Go,288broche,0.357ns,5600000KHz,1.1V,CCE,2Rang(2G*8bit),SK Hynix 1anm,P/N spécifié dédié
0620Y029-002 32Go Module de mémoire,DDR5-RDIMM,32Go,288broche,0.357ns,5600000KHz,1.1V,CCE,2Rang(2G*8bit),P/N spécifié dédié Samsung 1anm
0620Y069 32Go Module de mémoire,DDR5-RDIMM,32Go,288broche,0.42ns,4800000KHz,1.1V,CCE,2Rang(2G*8bit),Code de spécification
0620Y071 32Go Module de mémoire,DDR5-RDIMM,32Go,288broche,0.357ns,5600000KHz,1.1V,CCE,2Rang(2G*8bit),Code de spécification
0620Y019 48Go Module de mémoire,DDR5-RDIMM,48Go,288broche,0.416ns,4800000KHz,1.1V,CCE,2Rang(3G*8bit)
0620Y030 48Go Module de mémoire,DDR5-RDIMM,48Go,288broche,0.357ns,5600000KHz,1.1V,2Rang(3G*8bit)
0251Y062 64Go Module de mémoire générale,2288H V7, module de mémoire,DDR5-RDIMM,64Go,288broche,0.42ns,4800000KHz,1.1V,CCE,2Rang(4G*4bit),Outre-mer
0251Y144 64Go Module de mémoire générale,2258 V7, module de mémoire,DDR5-RDIMM,64Go,288broche,0.357ns,5600000KHz,1.1V,CCE,2Rang(4G*4bit),Code de trois usines d'origine,Exclusivité outre-mer
0620Y006 64Go Module de mémoire,DDR5-RDIMM,64Go,288broche,0.42ns,4800000KHz,1.1V,CCE,2Rang(4G*4bit)
0620Y006-001 64Go Module de mémoire,DDR5-RDIMM,64Go,288broche,0.42ns,4800000KHz,1.1V,CCE,2Rang(4G*4bit),P/N spécifié dédié-Samsung 1ynm
0620Y006-002 64Go Module de mémoire,DDR5-RDIMM,64Go,288broche,0.42ns,4800000KHz,1.1V,CCE,2Rang(4G*4bit),P/N spécifié dédié-Hynix 1anm
0620Y006-006 64Go Module de mémoire,DDR5-RDIMM,64Go,288broche,0.42ns,4800000KHz,1.1V,CCE,2Rang(4G*4bit),Code de trois usines d'origine
0620Y031 64Go Module de mémoire,DDR5-RDIMM,64Go,288broche,0.357ns,5600000KHz,1.1V,CCE,2Rang(4G*4bit)
0620Y031-003 64Go Module de mémoire,DDR5-RDIMM,64Go,288broche,0.357ns,5600000KHz,1.1V,CCE,2Rang(4G*4bit),SAMSUNG 1 an
0620Y031-004 64Go Module de mémoire,DDR5-RDIMM,64Go,288broche,0.357ns,5600000KHz,1.1V,CCE,2Rang(4G*4bit),SK Hynix 1anm
0620Y070 64Go Module de mémoire,DDR5-RDIMM,64Go,288broche,0.42ns,4800000KHz,1.1V,CCE,2Rang(4G*4bit),Code de spécification
0620Y072 64Go Module de mémoire,DDR5-RDIMM,64Go,288broche,0.357ns,5600000KHz,1.1V,CCE,2Rang(4G*4bit),Code de spécification
0620Y026 96Go Module de mémoire,DDR5-RDIMM,96Go,288broche,0.416ns,4800000KHz,1.1V,CCE,2Rang(6G*4bit)
0620Y032 96Go Module de mémoire,DDR5-RDIMM,96Go,288broche,0.357ns,5600000KHz,1.1V,CCE,2Rang(6G*4bit)
0620Y032 96Go Module de mémoire,DDR5-RDIMM,96Go,288broche,0.357ns,5600000KHz,1.1V,CCE,2Rang(6G*4bit)

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