номер части |
Емкость |
Details |
0251Y129 |
128ГБ |
General Memory Module,2288H V7,Memory Module,DDR5,RDIMM,128ГБ,288приколоть,0.42нс,4800000кГц,1.1В,ЕСС,4Классифицировать(4Г * 4 бит),3DS,Domestic&Oversea |
0251Y129 |
128ГБ |
General Memory Module,2288H V7,Memory Module,DDR5,RDIMM,128ГБ,288приколоть,0.42нс,4800000кГц,1.1В,ЕСС,4Классифицировать(4Г * 4 бит),3DS,Domestic&Oversea |
0620Y009 |
128ГБ |
Memory Module,DDR5-RDIMM,128ГБ,288приколоть,0.42нс,4800000кГц,1.1В,ЕСС,4Классифицировать(4Г * 4 бит),3DS |
0620Y009 |
128ГБ |
Memory Module,DDR5-RDIMM,128ГБ,288приколоть,0.42нс,4800000кГц,1.1В,ЕСС,4Классифицировать(4Г * 4 бит),3DS |
0620Y009-001 |
128ГБ |
Memory Module,DDR5-RDIMM,128ГБ,288приколоть,0.42нс,4800000кГц,1.1В,ЕСС,4Классифицировать(4Г * 4 бит),3DS,SAMSUNG 1ynm |
0620Y033 |
128ГБ |
Memory Module,DDR5-RDIMM,128ГБ,288приколоть,0.357нс,5600000кГц,1.1В,ЕСС,4Классифицировать(4Г * 4 бит),3DS |
0251Y064 |
16ГБ |
General Memory Module,2288H V7,Memory Module,DDR5-RDIMM,16ГБ,288приколоть,0.42нс,4800000кГц,1.1В,ЕСС,1Классифицировать(2Г * 8 бит),Oversea |
0251Y146 |
16ГБ |
General Memory Module,2288H V7,Memory Module,DDR5-RDIMM,16ГБ,288приколоть,0.42нс,4800000кГц,1.1В,ЕСС,1Классифицировать(2Г * 8 бит),0620Y003-XH-JWY SAMSUNG 1ynm |
0251Y150 |
16ГБ |
General Memory Module,2288H V7,Memory Module,DDR5-RDIMM,16ГБ,288приколоть,0.357нс,5600000кГц,1.1В,ЕСС,1Классифицировать(2Г * 8 бит),Oversea |
0620Y003 |
16ГБ |
Memory Module,DDR5-RDIMM,16ГБ,288приколоть,0.42нс,4800000кГц,1.1В,ЕСС,1Классифицировать(2Г * 8 бит) |
0620Y003-001 |
16ГБ |
Memory Module,DDR5-RDIMM,16ГБ,288приколоть,0.42нс,4800000кГц,1.1В,ЕСС,1Классифицировать(2Г * 8 бит),Specified P/N dedicated-Samsung 1ynm |
0620Y003-002 |
16ГБ |
Memory Module,DDR5-RDIMM,16ГБ,288приколоть,0.42нс,4800000кГц,1.1В,ЕСС,1Классифицировать(2Г * 8 бит),Specified P/N dedicated-Hynix 1anm |
0620Y027 |
16ГБ |
Memory Module,DDR5-RDIMM,16ГБ,288приколоть,0.357нс,5600000кГц,1.1В,ЕСС,1Классифицировать(2Г * 8 бит) |
0620Y068 |
16ГБ |
Memory Module,DDR5-RDIMM,16ГБ,288приколоть,0.42нс,4800000кГц,1.1В,ЕСС,1Классифицировать(2Г * 8 бит),Specification code |
0620Y010 |
256ГБ |
Memory Module,DDR5-RDIMM,256ГБ,288приколоть,0.42нс,4800000кГц,1.1В,ЕСС,8Классифицировать(8Г * 4 бит),3DS |
0251Y063 |
32ГБ |
General Memory Module,2288H V7,Memory Module,DDR5-RDIMM,32ГБ,288приколоть,0.42нс,4800000кГц,1.1В,2Классифицировать(2Г * 8 бит),Oversea |
0251Y063 |
32ГБ |
General Memory Module,2288H V7,Memory Module,DDR5-RDIMM,32ГБ,288приколоть,0.42нс,4800000кГц,1.1В,2Классифицировать(2Г * 8 бит),Oversea |
0251Y143 |
32ГБ |
General Memory Module,2258 V7,Memory Module,DDR5-RDIMM,32ГБ,288приколоть,0.357нс,5600000кГц,1.1В,ЕСС,2Классифицировать(2Г * 8 бит),Three original factories code,Overseas exclusive |
0620Y005 |
32ГБ |
Memory Module,DDR5-RDIMM,32ГБ,288приколоть,0.42нс,4800000кГц,1.1В,2Классифицировать(2Г * 8 бит) |
0620Y005-001 |
32ГБ |
Memory Module,DDR5-RDIMM,32ГБ,288приколоть,0.42нс,4800000кГц,1.1В,2Классифицировать(2Г * 8 бит),Specified P/N dedicated-Samsung 1ynm |
0620Y005-002 |
32ГБ |
Memory Module,DDR5-RDIMM,32ГБ,288приколоть,0.42нс,4800000кГц,1.1В,2Классифицировать(2Г * 8 бит),Specified P/N dedicated-Hynix 1anm |
0620Y029 |
32ГБ |
Memory Module,DDR5-RDIMM,32ГБ,288приколоть,0.357нс,5600000кГц,1.1В,ЕСС,2Классифицировать(2Г * 8 бит) |
0620Y029-001 |
32ГБ |
Memory Module,DDR5-RDIMM,32ГБ,288приколоть,0.357нс,5600000кГц,1.1В,ЕСС,2Классифицировать(2Г * 8 бит),SK Hynix 1anm,Specified P/N dedicated |
0620Y029-002 |
32ГБ |
Memory Module,DDR5-RDIMM,32ГБ,288приколоть,0.357нс,5600000кГц,1.1В,ЕСС,2Классифицировать(2Г * 8 бит),Specified P/N dedicated Samsung 1anm |
0620Y069 |
32ГБ |
Memory Module,DDR5-RDIMM,32ГБ,288приколоть,0.42нс,4800000кГц,1.1В,ЕСС,2Классифицировать(2Г * 8 бит),Specification code |
0620Y071 |
32ГБ |
Memory Module,DDR5-RDIMM,32ГБ,288приколоть,0.357нс,5600000кГц,1.1В,ЕСС,2Классифицировать(2Г * 8 бит),Specification code |
0620Y019 |
48ГБ |
Memory Module,DDR5-RDIMM,48ГБ,288приколоть,0.416нс,4800000кГц,1.1В,ЕСС,2Классифицировать(3Г * 8 бит) |
0620Y030 |
48ГБ |
Memory Module,DDR5-RDIMM,48ГБ,288приколоть,0.357нс,5600000кГц,1.1В,2Классифицировать(3Г * 8 бит) |
0251Y062 |
64ГБ |
General Memory Module,2288H V7,Memory Module,DDR5-RDIMM,64ГБ,288приколоть,0.42нс,4800000кГц,1.1В,ЕСС,2Классифицировать(4Г * 4 бит),Oversea |
0251Y144 |
64ГБ |
General Memory Module,2258 V7,Memory Module,DDR5-RDIMM,64ГБ,288приколоть,0.357нс,5600000кГц,1.1В,ЕСС,2Классифицировать(4Г * 4 бит),Three original factories code,Overseas exclusive |
0620Y006 |
64ГБ |
Memory Module,DDR5-RDIMM,64ГБ,288приколоть,0.42нс,4800000кГц,1.1В,ЕСС,2Классифицировать(4Г * 4 бит) |
0620Y006-001 |
64ГБ |
Memory Module,DDR5-RDIMM,64ГБ,288приколоть,0.42нс,4800000кГц,1.1В,ЕСС,2Классифицировать(4Г * 4 бит),Specified P/N dedicated-Samsung 1ynm |
0620Y006-002 |
64ГБ |
Memory Module,DDR5-RDIMM,64ГБ,288приколоть,0.42нс,4800000кГц,1.1В,ЕСС,2Классифицировать(4Г * 4 бит),Specified P/N dedicated-Hynix 1anm |
0620Y006-006 |
64ГБ |
Memory Module,DDR5-RDIMM,64ГБ,288приколоть,0.42нс,4800000кГц,1.1В,ЕСС,2Классифицировать(4Г * 4 бит),Three original factories code |
0620Y031 |
64ГБ |
Memory Module,DDR5-RDIMM,64ГБ,288приколоть,0.357нс,5600000кГц,1.1В,ЕСС,2Классифицировать(4Г * 4 бит) |
0620Y031-003 |
64ГБ |
Memory Module,DDR5-RDIMM,64ГБ,288приколоть,0.357нс,5600000кГц,1.1В,ЕСС,2Классифицировать(4Г * 4 бит),SAMSUNG 1anm |
0620Y031-004 |
64ГБ |
Memory Module,DDR5-RDIMM,64ГБ,288приколоть,0.357нс,5600000кГц,1.1В,ЕСС,2Классифицировать(4Г * 4 бит),SK Hynix 1anm |
0620Y070 |
64ГБ |
Memory Module,DDR5-RDIMM,64ГБ,288приколоть,0.42нс,4800000кГц,1.1В,ЕСС,2Классифицировать(4Г * 4 бит),Specification code |
0620Y072 |
64ГБ |
Memory Module,DDR5-RDIMM,64ГБ,288приколоть,0.357нс,5600000кГц,1.1В,ЕСС,2Классифицировать(4Г * 4 бит),Specification code |
0620Y026 |
96ГБ |
Memory Module,DDR5-RDIMM,96ГБ,288приколоть,0.416нс,4800000кГц,1.1В,ЕСС,2Классифицировать(6Г * 4 бит) |
0620Y032 |
96ГБ |
Memory Module,DDR5-RDIMM,96ГБ,288приколоть,0.357нс,5600000кГц,1.1В,ЕСС,2Классифицировать(6Г * 4 бит) |
0620Y032 |
96ГБ |
Memory Module,DDR5-RDIMM,96ГБ,288приколоть,0.357нс,5600000кГц,1.1В,ЕСС,2Классифицировать(6Г * 4 бит) |